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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)的(de)运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全蒙口是什么档次，蒙口是什么档次的牌子审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash 蒙口是什么档次，蒙口是什么档次的牌子（闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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